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2022年6月12日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1）无偏压工作状态,光电流随负载变化很大。 2）反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关（很大的动态范围内）。
6、硅光电池光谱特性测试 当不同波长的入射光照到硅光电池上, 硅光电池就有不同的灵敏度。 本实验仪采用高亮 度 LED(白、红、橙、黄、绿、蓝、紫)作为光源,产生 400～630nm 离散光谱。
硅光电池是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把入时到它表面的光能转化为电能,因此,可用作光电探测器和光电池,被广泛用手大大空和野外便携式仪器等的能源。
硅光电池的伏安特性曲线如图2所示。 当电池不受光照时,起一个二极管的作用,外加电压与电流间的关系称为光电池的暗特性。 光电池的正向电阻与反向电阻相差很大。 光电池的电阻不仅在受光照时与未受光照时不同,而且还受入射光强度不同而变化,入射光强度越大,光电池电阻越小。 如果光照恒定,当光电压增加到P—N结的正向电流全方位部抵消了光电流时,光电压不再增大,
2018年5月23日 · 硅光电池的光谱响应范围是400～1100nm,在使用时必须注意与入射光的波长相匹配, 以获得较高的光电子输出效率。 实验中经常通过测试硅光电池的相对灵敏度表征其光谱响应特性。
2024年8月2日 · 以硅基光电池为研究对象,针对重频激光辐照对器件响应特性产生的干扰进行分析。 从光伏器件的 光生电动势原理出发,根据响应输出模型以及一维热传导方程,计算了激光辐照下,不同脉冲参数对光电池电
2018年7月6日 · 由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 由图2可看到,在一定光照下,负载曲线在电流轴上的截距是短路电流,在电压轴上的截距即为开路电压。
2005年7月23日 · 1．研究硅光电池的照度（光强）特性,用特性曲线表示结果． （1）测量硅光电池的短路电流与照度间的关系； 由于硅光电池的短路电流随照度的变化太大从而给测量带来了困难,本实验采用测量
2021年8月24日 · 硅光电池特性曲线.pdf,光强/lx 电流/mA 0 0 37 0.061 70 0.115 硅光电池的照度-电流特性 155 0.257 180 0.295 2 218 0.356 265 0.428 1.5 300 0.483 A 333 0.531 m 电流/ / 367 0.595 流 1 mA 433 0.6 原创力文档 知识共享存储平台 海量文档 文档专题 悬赏文档
2016年7月24日 · 在硅光电池输入光强度不变时（取LED 静态驱动电 流为 15mA）,测量当负载从 0～99990KΩ 的范围内变化时,记录光电池的输出 电压随负载变化的数据,由相应的电压和电阻值计算出光电池输出的光电流 值,依据电流和电压值在方格纸上绘出硅光电池的输出