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2022年4月20日 · 离子注入技术作为半导体领域中一项重要的掺杂工艺,将其应用到太阳电池中,可大幅提高电池转换效率。 本文从工艺原理、工艺实现、关键技术难点、产业化情况等方面分析了离子注入技术。
该技术的应用可以实现低表面浓度均匀掺杂 并在退火过程中形成热氧钝化层, 从而改善晶硅太阳能电池的蓝光响应, 使得太阳能电池的 光转换效率得以提高。 在利用离子注入技术制作 p-型 156mm 单晶硅电池过程中,我们发现 离子注入电池边缘漏电比较严重,同时会出现开路电压（Voc）分层现象。 为此,我们对离 子注入剂量和能量, 退火工艺以及印刷工艺进行了大量
2024年10月9日 · 离子注入技术指真空中一束离子束射向一块固体材料,受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低,并最高终停留在固体材料中的现象。 实际运用中,采用等离子辅助法,以 PH 3 为气源,经过电离,实现P原子注入多晶硅层。
2012年9月5日 · 离子注入技术是一种行之有效的半导体掺杂技术.利用离子注入方法对半导体掺杂,在高温下退火激活杂质离子可形成高品质PN结.近年来,随着光伏行业的飞速发展,离子注入技术逐渐被引入晶硅太阳能电池制造过程.该技术的应用可以实现低表面浓度均匀掺杂
本文将离子注入技术引入n-PERT电池制备过程中,离 子注入技术较常规扩散技术具有掺杂均匀性好,可实现低浓度掺 杂,提高光电转换效率等优势,同时将BBr3热扩散和磷离子注入 后的热退火相结合,一步高温过程同时完成发射极和背场掺杂, 简化工艺步骤
2013年12月19日 · 该技术的应用可以实现低表面浓度均匀掺杂并在退火过程中形成热氧钝化层,从而改善晶硅太阳能电池的蓝光响应,使得太阳能电池的光转换效率得以提高。
2016年12月1日 · 摘要 大多数 p 型硅太阳能电池采用 POCl 3 扩散或磷离子注入掺磷发射极。 尽管已知磷发射体的形成会吸收 Fe 等杂质,但这两种吸收技术对电池性能影响的差异还没有得到很好的量化。
2013年1月1日 · 离子注入工艺通过消除两个工艺步骤简化了正常的工业工艺流程：去除磷硅玻璃 (PSG) 和传统热 POCl3 扩散工艺之后所需的结隔离工艺。 此外,离子注入工艺的良好钝化性能得到改善。
2019年8月6日 · 本发明涉及一种新型离子注入工艺,特别涉及一种匹配激光选择性掺杂的离子注入磷扩散方法,属于光伏发电 技术领域 ： 背景技术 ：
摘要： 为了兼顾叉指背接触(IBC)太阳电池背表面场(BSF)区域的钝化性能和接触性能,在现有IBC太阳电池制备工艺基础上引入离子注入技术,对电池背表面场区域进行磷离子注入.研究了不同磷离子注入剂量对IBC电池钝化性能和接触性能的影响,并研究了烧结工艺对