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2019年10月24日 · 这些硅电容器在宽频率范围（UBSC为16kHz至67GHz,BBSC为16kHz至40GHz,ULSC为16kHz至20GHz）内具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性。这些深沟槽硅电容器设计采用半导体MOS工艺,可在过电压 (0.1%/V) 和超温 (60ppm/K) 条件下提供高可信赖性
2024年10月15日 · 村田的硅电容器可以根据客户在静电容量、厚度等尺寸、表面处理和封装等方面的具体需求进行调整。 此外,村田可实现多个无源器件在单一封装中的集成,进一步提高系统的整合度。
2024年5月22日 · 照片1. 硅电容器"BTD1RVFL"的产品照片（与0.5mm自动铅笔芯比较） 硅电容器简介 电容器是一种蓄电元件,可将电荷储存在夹在电极与电极之间的称为"电介质"的可蓄电绝 缘体中。使用氧化硅或氮化硅作为电介质的即为硅电容器（图1）。 图1. 电容器示意图
2019年9月9日 · 此外,这些电容器符合RoHS标准,可以根据外壳尺寸提供ENIG（镍、金）电极或无铅预凸块。 村田XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列硅电容器 产品特性： 最高大110GHz的超宽带性能 没有共振,可以进行优秀的群延迟变化 在传输模式下,凭借优秀的抗阻匹配
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2019年1月8日 · 高稳定性硅电容器是根据重视稳定性的用途而研制的。 HSSC系列提供很高的DC电压稳定性,不需要提高精确密静电容量电路的静电容量设置值。此项技术在电压和温度的整个工作范围内,都能保持稳定的静电容量,提供行业最高佳性能。硅电容器的绝缘
2022年6月17日 · 硅电容器的安装方法有焊接安装和引线键合安装两种。焊接安装产品适合高密度安装,而引线键合安装产品则适合与IC等其他元器件一体化封装的应用。 图源：ROHM 2、硅电容器与MLCC的区别 图 硅电容器与MLCC对
硅电容器的特点 更小的封装,更高的性能 这种先进的技术的3D拓扑结构可在惊人的100µm厚度内,使开发的有效静电容量面积相当于80个陶瓷层（可视需求提供更低值）。
2024年10月16日 · 全方位部 EMI/RFI 器件 MOSFET 二极管与整流器 工业自动化 工具与耗材 工程技术开发工具 开关 内存和数据存储器 计算 电位计 电阻器 电线与电缆 电容器 电感器 电路保护
2020年8月11日 · BBSC最高高为40GHz,ULSC最高高为20GHz）这里所使用的深槽硅电容器,是应用半导体的MOS工艺开发的。 ... 此外,这些电容器符合RoHS标准,可以根据外壳尺寸提供ENIG （镍、金）电极或无铅预凸块。 特点 规格 产品一览 用途 单击此处获得电路
2023年9月19日 · 拜硅电容器优势所赐,硅电容器彻底面兼容支持MIS / MOS后端技术,所以能做为被动整合平台的一部分。 再者元件也适合以异质集成的方式结合CMOS、MEMS、多芯片模组或覆晶接合（flip-chip）等各种技术,应用于系统级封装（system in chip,SiP）或系统单芯片（system on chip,SoC）。
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2012年2月9日 · 此外,IPDIA高温硅电容器工作温度范围为-55°C至+200°C间,电容位移限制在+/-1％。 其极端温度范围显示了-55°C至+250°C的相同的电容位移。 由于其独有的3D硅技术,IPDIA还可以提供厚度低至100µm的最高节省空间的解决方案。
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2021年9月13日 · KYOCERA AVX射频超低ESR电容器是多层陶瓷电容器（MLCC）,带有铜基金属电极（BME）内部电极。该电容器具有超低等效串联电阻（ESR）和高自谐振频率。
2024年3月6日 · 上一篇分享了村田使用的硅电容技术主要就是半导体的MOS技术,再加上了3D技术以及干法刻蚀技术的Bosch工艺来提升电容密度。前面文章也提到过,目前主要批量的硅电容厂家,主要有村田和台积电。台积电的硅电容主要用…
2024年1月21日 · 什么是硅电容？硅电容器,简称Si-Cap,是指以硅材料为介电层,采用半导体制造工艺制作而成的电容器。电容器还包括陶瓷电容、铝电解电容、钽电容、薄膜电容等传统品类,其中陶瓷电容是当下市场应用覆盖最高广、成熟度最高高的电容器,市场占比约59%,具有高频率、低阻抗、高耐热特性。
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2020年11月26日 · UWSC系列 拥有超过26GHz的超宽带性能, 没有共振,相位稳定, 外壳尺寸0101,静电容量值1nF ... 活跃于光通信设备领域的村田高性能硅电容器 产品 日期：12月02日 时间：10:00-11:30am 村田的硅电容器产品来自于2016年收购的法国IPDiA公司。该公司的硅
华秋商城共了1个硅电容器原厂产品,包含了硅电容器型号、硅电容器 ... 板连接器 线对线连接器 板对板连接器 卡边连接器（金手指插槽） 接线端子 端子Ternimal 胶壳及附件 欧式插座 排针 排母 短路帽/跳线帽 IC插座 圆形连接器 射频和同轴
宜兴市中天无线电器件有限公司,成立于1980年。本公司技术力量雄厚。拥有高水平工程师5名,技术人员10多名,是一家努力于LED数码管系列产品及电容器配件、可控硅配件等产品的专业制造商,公司生产设备先进的技术,控测手段完善,在同领
2021年11月30日 · 村田的半导体（硅）技术,以电容器的集成功能（最高大250nF/mm2）为特点,外壳尺寸可以小于以前的解决方案,因此能够满足严格限制体积的要求。 此项技术与钽
2012年8月22日 · 1 范围 本标准规定了铝电解电容器用铝壳（以下简称铝壳）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于铝电解电容器用铝壳。 2引用标准 下列标准所包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。
2012年2月9日 · 该公司日前宣布推出一种新的高温硅电容,可在1206封装尺寸里达到最高高电容值。 事实上,当标准技术提供了一个100 nF的1206封装电容温度可达200°C时,IPDIA可以自豪地
2024年9月2日 · 电容器外壳直径：Φ20-Φ136高度：<450毫米材料：AL1060类型：可定制带内芯、带螺杆、底部带孔、翻边等类型。 我们专注于铝冷挤压。 电容器外壳可根据客户要求设计。
2024年3月5日 · 硅电容和这些传统的电容相比主要就是使用的原材料不同以及工艺不一致,顾名思义,硅电容是以硅作为材料,通过半导体的工艺进行制造。 当前的硅电容根据工艺分成两大类,一类采用半导体MOS工艺,主要针对的是高压低容量市场,典型厂商是村田,应用领域例如RF,激
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2024-12-23 · 硅电容器与半导体MOS工艺源自相同的DNA,具有以经过验证的一致性数据建立的全方位模块默认模型,因此提供了可预测、极为可信赖的性能。相较于其他电容器技术,硅电容器技术在可信赖性方面提高了10倍,这主要得益于在高温固化过程中生成的氧化物。
2021年7月8日 · 支持250℃的硅电容器。HTSC系列是支持最高高工作温度200℃的高温用电容器,XTSC系列是支持最高高工作温度250 ... 以突出的性能为例,XTSC系列在-55℃ to +250℃的温度范围,实现了外壳尺寸1206、静电容量1μF、温度系数+60ppm/K
2024年5月30日 · 选择外壳时,有十个常见标准需要牢记,其中一些标准至关重要。 上传列表 登录或 注册 您好 {0} 我的 DigiKey ... 硅电容器 铝 - 聚合物电容器 铝电解电容器 双电层电容器 (EDLC),超级电容器 钽 - 聚合物电容器